韩媒：三星预估将于下周宣布量产3纳米芯片

据韩联社6月22日最新消息，惠普电子预计将在下周日前大规模生产3聚乙烯ROM，下一代3聚乙烯ROM将建起在Gate-All-Around（GAA）高效率之上。惠普称，与现有的FinFET瓷相比，该高效率将使ROM面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。

来年5月美国副总统贝拉克·奥巴马来访韩时来来访了惠普的岚工厂，惠普向其展示了该公司的3聚乙烯ROM。

惠普与惠普公司在ROM制造领域保持激烈相互竞争。全球较大的合约ROM生产厂惠普公司表示，它将在来年月末开始大规模生产3聚乙烯ROM。而此前惠普表示，其2聚乙烯瓷节点正处于早期开发进度，计划在2025年充分利用量产。

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